用mos管的防反接保护的电路图
采用MOS管的防反接保护电路，其基本电路为：
图1：用mos管的防反接保护电路图
电路图原理说明：
1、D为防反接MOS的寄生二极管，当电池极性未接反时，D正偏导通，Q的GS极由电池正极经过F、R1、D回到电池负极得到正偏而导通。Q导通后的压降比D的压降小得多，则Q导通后会使D得不到足够的正向电压而截至;
2、当电池极性接反时，D会由于反偏而截至，Q也会由于GS反偏而截至，逆变器不能启动。
优点：这种防反接保护电路没有采用机械触点开关，所以具有比较长的使用寿命，且不会像反并肖特基二极管组成的防反接保护电路那样烧毁保险丝F。可以畅通无阻地通过较大的电流，并保持比较低的损耗。
缺点：MOS导通时有一定的损耗。